?在鋰電池維護板畸形的情況下，Vdd為高電平，Vss，VM為低電平，D　　O、CO為高電平，當(dāng)Vdd，Vss，VM一項參數(shù)變換時，DO或CO真?zhèn)€電平將產(chǎn)生變更。?1、畸形狀況?在畸形狀況下電路中N1的 ;CO ;與 ;DO ;腳都輸出高電壓，兩個MOSFET都處于導(dǎo)通狀況，電池可能自由地進行充電跟放電，因為MOSFET的導(dǎo)通阻抗很小，通常小于30毫歐，因此其導(dǎo)通電阻對電路的機能影響很小。此狀況下維護電路的消耗電流為μA級，通常小于7μA。?2、過充電維護?鋰離子電池請求的充電方法為恒流/恒壓，在充電初期，為恒流充電，隨著充電進程，電壓會回升到4.2V(依據(jù)正資料不同，有的電池請求恒壓值為4.1V)，轉(zhuǎn)為恒壓充電，直至電流越來越小。電池在被充電進程中，假如充電器電路失去把持，會使電池電壓超過4.2V后連續(xù)恒流充電，此時電池電壓仍會連續(xù)回升，當(dāng)電池電壓被充電至超過4.3V時，電池的化學(xué)副反應(yīng)將加劇，會導(dǎo)致電池破壞或呈現(xiàn)保險問題。在帶有維護電路的電池中，當(dāng)把持IC檢測到電池電壓達到4.28V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時，其 ;CO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕2由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了充電回路，使充電器無奈再對電池進行充電，起到過充電維護作用。而此時因為V2自帶的體二管VD2的存在，電池可能通過該二管對外部負載進行放電。在把持IC檢測到電池電壓超過4.28V至發(fā)出關(guān)斷V2信號之間，還有一段延時時光，該延時時光的是非由C3決定，通常設(shè)為1秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷。?3、過放電維護?電池在對外部負載放電進程中，其電壓會隨著放電進程逐步降落，當(dāng)電池電壓降至2.5V時，其容量已被完全放光，此時假如讓電池連續(xù)對負載放電，將造成電池的永恒性破壞。在電池放電進程中，當(dāng)把持IC檢測到電池電壓低于2.3V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時，其 ;DO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使電池?zé)o奈再對負載進行放電，起到過放電維護作用。而此時因為V1自帶的體二管VD1的存在，充電器可能通過該二管對電池進行充電。因為在過放電維護狀況下電池電壓不能再降落，因此請求維護電路的消耗電流小，此時把持IC會進入低功耗狀況，全部維護電路耗電會小于0.1μA。在把持IC檢測到電池電壓低于2.3V至發(fā)出關(guān)斷V1信號之間，也有一段延時時光，該延時時光的是非由C3決定，通常設(shè)為100毫秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷.?4、短路維護?電池在對負載放電進程中，若回路電流大到使U>0.9V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時，把持IC則判斷為負載短路，其 ;DO ;腳將敏捷由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷放電回路，起到短路維護作用。短路維護的延時時光短，通常小于7微秒。其工作原理與過電流維護類似，只是判斷方法不同，維護延時時光也不一樣。除了把持IC外，電路中還有一個重要元件，就是MOSFET，它在電路中起著開關(guān)的作用，因為它直接串接在電池與外部負載之間，因此它的導(dǎo)通阻抗對電池的機能有影響，入選用的MOSFET較好時，其導(dǎo)通阻抗很小，電池包的內(nèi)阻就小，帶載才干也強，在放電時其消耗的電能也少。?5、過電流維護?因為鋰離子電池的化學(xué)特點，電池生產(chǎn)廠家劃定了其放電電流不能超過2C(C=電池容量/小時)，當(dāng)電池超過2C電流放電時，將會導(dǎo)致電池的永恒性破壞或呈現(xiàn)保險問題。電池在對負載畸形放電進程中，放電電流在經(jīng)過串聯(lián)的2個MOSFET時，因為MOSFET的導(dǎo)通阻抗，會在其兩端產(chǎn)生一個電壓，該電壓值U=IRDS2，RDS為單個MOSFET導(dǎo)通阻抗，把持IC上的 ;V- ;腳對該電壓值進行檢測，若負載因某種起因?qū)е庐悩樱够芈冯娏髟龃螅?dāng)回路電流大到使U>0.1V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時，其 ;DO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使回路中電流為零，起到過電流維護作用。在把持IC檢測到過電流產(chǎn)生至發(fā)出關(guān)斷V1信號之間，也有一段延時時光，該延時時光的是非由C3決定，通常為13毫秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷。在上述把持進程中可知，其過電流檢測值大小不僅取決于把持IC的把持值，還取決于MOSFET的導(dǎo)通阻抗，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通阻抗越大時，對同樣的把持IC，其過電流維護值越小。

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